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　　1889年，英国人S.Z.费兰梯在伦敦与德特福德之间敷设了 。电力电缆得到越来越广的应用。1911年，德国敷设成60千伏高压电缆，始了高压电缆的发展。1913年，德国人M.霍希施泰特研制成分相屏蔽电缆,改善了电缆内部电场分布,消除了绝缘表面的正切应力，成为电力电缆发展中的里程碑。

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所谓寄存器寻址，就是我们使用plc内部寄存器的方法。如果把PLC的内部寄存器比喻成一幢大楼，那么寻址方法就是对房间门牌的编号。只有掌握了寄存器的寻址方法，我们才能正确使用内部寄存器。内部寄存器的寻址，是欧美系PLC所独有的，它不同于日系的PLC。因为日系的PLC一般是直接使用。比如三菱的PLC，它用D0，D1来表示内部的数据寄存器。M0,M1表示的是位寄存器，D0和M0之间没有任何关系而欧系PLC与日系的完全不同，是使用和计算机一样的寻址方法。由于设计技巧问题，寄生回路也是多种多样的，有的较明显，根本不能工作，这在设计中容易发现。有的电路较复杂，只有等到某些条件具备时，偶然会因寄生回路的存在而产生一次误动作。举例来说如所示是一个具有信号灯和热保护的正反转电路，在正常工作时，能完成正反转的起动、停止和信号指示。但当热继电器FT动作时，线路就出现了虚线所示的寄生回路，使正向接触器KI不能释放，起不了保护作用。正确的接法应将KK2两个线圈接于电源的同端，如所示。当输入电压突然由+VF变为-VR时Ｐ区存储的电子和Ｎ区存储的空穴不会马上消失，但它们将通过下列两个途径逐渐减少：在反向电场作用下，Ｐ区电子被拉回Ｎ区，Ｎ区空穴被拉回Ｐ区，形成反向漂移电流IR，如下图所示；与多数载流子复合。在这些存储电荷消失之前，ＰＮ结仍处于正向偏置，即势垒区仍然很窄，ＰＮ结的电阻仍很小，与RL相比可以忽略，所以此时反向电流IR=（VR＋VD）/RL。VD表示ＰＮ结两端的正向压降，一般VRVD，即IR＝VR／RL。国产场效应管的型号命名方法有两种：种型号命名方法由五部分组成，部分用数字表示电极数目，3表示有3个电极；第二部分用字母表示沟道材料：D是P型硅N沟道，C是N型硅P沟道；第三部分用字母表示管子种类：字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管；第四部分用数字表示序号。第五部分用字母表示电流档数。，3DO1D表示结型N沟道场效应三极管，3D06C表示绝缘栅型N沟道场效应三极管。第二种命名方法用字母“CS”+“XX#”的形式。相对可以接受快点。物业的弱电系统主要包括：消防控制系统。楼宇自控系统，门禁系统，音响设备，网络通讯系统，监控系统等等大的分类。建议你先从消防控制系统，监控系统，门禁系统这三大块始入手。消防控制系统，监控系统，门禁控制系统，你可以这样学习：以监控系统为例。1，首先必须掌握一定的理论知识，去书店监控系统的书籍，从 简单的入门入手，认识摄像头，硬盘录像机，同轴电缆等等基本概念，搞懂这些基本的概念才能更好的学习。